Gaskill, Kurt: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (88)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

In Situ Measurement of Nitrogen during Growth of 4H-SiC by CVD

VanMil, Brenda L., Lew, Kok Keong, Myers-Ward, Rachael L., Holm, Ronald T., Gaskill, D. Kurt, Eddy Jr., Charles R.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 267 KB

english, 2007

Sensitive room-temperature terahertz detection via the photothermoelectric effect in graphene

Cai, Xinghan, Sushkov, Andrei B., Suess, Ryan J., Jadidi, Mohammad M., Jenkins, Gregory S., Nyakiti, Luke O., Myers-Ward, Rachael L., Li, Shanshan, Yan, Jun, Gaskill, D. Kurt, Murphy, Thomas E., Drew,

Журнал:

Nature Nanotechnology

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.47 MB

english, 2014

[IEEE 2013 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - MTT 2013 - Seattle, WA, USA (2013.06.2-2013.06.7)] 2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (MTT) - Advances in graphene-based high-dynamic-range RF electronics

Moon, Jeong-sun, Gaskill, Kurt, Asbeck, Peter

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 299 KB

english, 2013

Graphene functionalization and seeding for dielectric deposition and device integration

Garces, Nelson Y., Wheeler, Virginia D., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 6.51 MB

english, 2012

Graphene nanoribbon field-effect transistors on wafer-scale epitaxial graphene on SiC substrates a

Hwang, Wan Sik, Zhao, Pei, Tahy, Kristof, Nyakiti, Luke O., Wheeler, Virginia D., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Robinson, Joshua A., Haensch, Wilfried, Xing, Huili (Grace

Журнал:

APL Materials

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.02 MB

english, 2015

SPIE Proceedings [SPIE Optics East 2007 - Boston, MA (Sunday 9 September 2007)] Advanced Photon Counting Techniques II - High-performance 4H-SiC single photon avalanche diode operating at solar blind wavelength

Xin, Xiaobin, Hu, Jun, Alexandov, Petre, Zhao, Jian H., VanMil, Brenda L., Gaskill, D. Kurt, Lew, Kok-Keong, Myers-Ward, Rachael, Eddy, Jr., Charles, Becker, Wolfgang

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 383 KB

english, 2007

Mode-locked 2- μ m wavelength fiber laser using a graphene-saturable absorber

Currie, Marc, Anderson, Travis, Wheeler, Virginia, Nyakiti, Luke O., Garces, Nelson Y., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Kub, Fritz J., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Optical Engineering

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 558 KB

english, 2013

Epitaxial graphene quantum dots for high-performance terahertz bolometers

El Fatimy, Abdel, Myers-Ward, Rachael L., Boyd, Anthony K., Daniels, Kevin M., Gaskill, D. Kurt, Barbara, Paola

Журнал:

Nature Nanotechnology

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.66 MB

english, 2016

Polarity governs atomic interaction through two-dimensional materials

Kong, Wei, Li, Huashan, Qiao, Kuan, Kim, Yunjo, Lee, Kyusang, Nie, Yifan, Lee, Doyoon, Osadchy, Tom, Molnar, Richard J, Gaskill, D. Kurt, Myers-Ward, Rachael L., Daniels, Kevin M., Zhang, Yuewei, Sund

Журнал:

Nature Materials

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.39 MB

english, 2018

Foreword

Mike Tischler, Kurt Gaskill

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 47 KB

english, 2001

Examination of In-Grown Stacking Faults in 8°- and 4°-Offcut 4H-SiC Epitaxy by Photoluminescence Imaging

Kendrick X. Liu, Robert E. Stahlbush, Kok-Keong Lew, Rachael L. Myers-Ward, Brenda L. VanMil, Kurt D. Gaskill, Charles R. Eddy

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 474 KB

english, 2008

Foreword

D. Kurt Gaskill, Stephen D. Hersee

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 58 KB

english, 1995

Fluorine functionalization of epitaxial graphene for uniform deposition of thin high-κ dielectrics

Virginia Wheeler, Nelson Garces, Luke Nyakiti, Rachael Myers-Ward, Glenn Jernigan, James Culbertson, Charles Eddy Jr., D. Kurt Gaskill

Журнал:

Carbon

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.15 MB

english, 2012

Charge transfer equilibria in ambient-exposed epitaxial graphene on (0001) 6 H-SiC

Sidorov, Anton N., Gaskill, Kurt, Buongiorno Nardelli, Marco, Tedesco, Joseph L., Myers-Ward, Rachel L., Eddy, Charles R., Jayasekera, Thushari, Kim, Ki Wook, Jayasingha, Ruwantha, Sherehiy, Andriy, S

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.36 MB

english, 2012

Graphene: Its Fundamentals to Future Applications

Moon, Jeong-Sun, Gaskill, D. Kurt

Журнал:

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 526 KB

english, 2011

Organometallic chemical vapor deposition and characterization of indium phosphide nanocrystals in Vycor porous glass

Hendershot, D. Greg, Gaskill, D. Kurt, Justus, Brian L., Fatemi, Mohammad, Berry, Alan D.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 632 KB

english, 1993

Lateral Graphene Heterostructure Field-Effect Transistor

Moon, Jeong S., Seo, Hwa-chang, Stratan, Fred, Antcliffe, Mike, Schmitz, Adele, Ross, Richard S., Kiselev, Andrey A., Wheeler, Virginia D., Nyakiti, Luke O., Gaskill, D. Kurt, Lee, Kang-Mu, Asbeck, Pe

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 319 KB

english, 2013

Conductance Anisotropy in Epitaxial Graphene Sheets Generated by Substrate Interactions

Yakes, Michael K., Gunlycke, Daniel, Tedesco, Joseph L., Campbell, Paul M., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Sheehan, Paul E., Laracuente, Arnaldo R.

Журнал:

Nano Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.79 MB

english, 2010

Epitaxial Graphene Nucleation on C-Face Silicon Carbide

Hite, Jennifer K., Twigg, Mark E., Tedesco, Joseph L., Friedman, Adam L., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Nano Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.86 MB

english, 2011

Effects of Nitrogen Doping on Basal Plane Dislocation Reduction in 8° Off-Cut 4H-SiC Epilayers

Wheeler, Virginia D., VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rachael L., Chung, S., Picard, Yoosuf N., Skowronski, Marek, Stahlbush, Robert E., Mahadik, Nadeemullah A., Eddy Jr., Charles R., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.40 MB

english, 2011

Chemically Resolved Interface Structure of Epitaxial Graphene on SiC(0001)

Emery, Jonathan D., Detlefs, Blanka, Karmel, Hunter J., Nyakiti, Luke O., Gaskill, D. Kurt, Hersam, Mark C., Zegenhagen, Jörg, Bedzyk, Michael J.

Журнал:

Physical Review Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 843 KB

english, 2013

Magneto-optical fingerprints of distinct graphene multilayers using the giant infrared Kerr effect

Ellis, Chase T., Stier, Andreas V., Kim, Myoung-Hwan, Tischler, Joseph G., Glaser, Evan R., Myers-Ward, Rachael L., Tedesco, Joseph L., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Cerne, John

Журнал:

Scientific Reports

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.15 MB

english, 2013

Electronic transport properties of top-gated epitaxial-graphene nanoribbon field-effect transistors on SiC wafers

Hwang, Wan Sik, Tahy, Kristof, Zhao, Pei, Nyakiti, Luke O., Wheeler, Virginia D., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Kurt Gaskill, D., (Grace) Xing, Huili, Seabaugh, Alan, Jena, Debdeep

Журнал:

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.48 MB

english, 2014

Influence of Chemisorbed Oxygen on the Growth of Graphene on Cu(100) by Chemical Vapor Deposition

Robinson, Zachary R., Ong, Eng Wen, Mowll, Tyler R., Tyagi, Parul, Gaskill, D. Kurt, Geisler, Heike, Ventrice,, Carl A.

Журнал:

The Journal of Physical Chemistry C

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.63 MB

english, 2013

[IEEE 2011 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - MTT 2011 - Baltimore, MD, USA (2011.06.5-2011.06.10)] 2011 IEEE MTT-S International Microwave Symposium - Graphene-on-SiC and graphene-on-Si transistors and RF applications

Moon, Jeong-sun, Gaskill, D. Kurt, Campbell, Paul, Asbeck, Peter

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 859 KB

english, 2011

Comparison of Epitaxial Graphene on Si-face and C-face 4H SiC Formed by Ultrahigh Vacuum and RF Furnace Production

Jernigan, Glenn G., VanMil, Brenda L., Tedesco, Joseph L., Tischler, Joseph G., Glaser, Evan R., Davidson, Anthony, Campbell, Paul M., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Nano Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 571 KB

english, 2009

Proton Irradiation of Ultraviolet 4H-SiC Single Photon Avalanche Diodes

Hu, Jun, Xin, Xiaobin, Zhao, Jian H., VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rachael, Eddy, Charles R., Gaskill, David Kurt

Журнал:

IEEE Transactions on Nuclear Science

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 694 KB

english, 2011

Thermionic-Field Emission Barrier Between Nanocrystalline Diamond and Epitaxial 4H-SiC

Tadjer, Marko J., Hobart, Karl D., Anderson, Travis J., Feygelson, Tatyana I., Myers-Ward, Rachael L., Koehler, Andrew D., Calle, Fernando, Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Pate, Bradford B., Kub,

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 544 KB

english, 2014

Handbook of Crystal Growth || Epitaxial Graphene

Gaskill, D. Kurt

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.82 MB

english, 2015

Publisher’s Note: “Charge transfer equilibria in ambient-exposed epitaxial graphene on (0001) 6 H-SiC” [J. Appl. Phys. 111, 113706 (2012)]

Sidorov, Anton N., Gaskill, Kurt, Buongiorno Nardelli, Marco, Tedesco, Joseph L., Myers-Ward, Rachel L., Eddy, Charles R., Jayasekera, Thushari, Wook Kim, Ki, Jayasingha, Ruwantha, Sherehiy, Andriy, S

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 260 KB

english, 2012

Structural consequences of hydrogen intercalation of epitaxial graphene on SiC(0001)

Emery, Jonathan D., Wheeler, Virginia H., Johns, James E., McBriarty, Martin E., Detlefs, Blanka, Hersam, Mark C., Kurt Gaskill, D., Bedzyk, Michael J.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 942 KB

english, 2014

Nanocrystalline diamond films as UV-semitransparent Schottky contacts to 4H-SiC

Tadjer, Marko J., Hobart, Karl D., Caldwell, Joshua D., Butler, James E., Liu, Kendrick X., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Lew, K. K., VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rachael L., Ancona, Mario G.,

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 488 KB

english, 2007

Top-gate dielectric induced doping and scattering of charge carriers in epitaxial graphene

Puls, Conor P., Staley, Neal E., Moon, Jeong-Sun, Robinson, Joshua A., Campbell, Paul M., Tedesco, Joseph L., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Liu, Ying

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 756 KB

english, 2011

On the high curvature coefficient rectifying behavior of nanocrystalline diamond heterojunctions to 4H-SiC

Tadjer, Marko J., Feygelson, Tatyana I., Hobart, Karl D., Caldwell, Joshua D., Anderson, Travis J., Butler, James E., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Lew, K. K., VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rac

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 707 KB

english, 2010

Secondary electron dopant contrast imaging of compound semiconductor junctions

Chung, Suk, Wheeler, Virginia, Myers-Ward, Rachael, Nyakiti, Luke O., Eddy, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Skowronski, Marek, Picard, Yoosuf N.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.36 MB

english, 2011

[IEEE 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - College Park, MD, USA (2007.12.12-2007.12.14)] 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - Etch rates for Si-face 4H-SiC using H2 and a C3H8 partial pressure

VanMil, Brenda L., Kok-Keong Lew,, Myers-Ward, Rachael L., Holm, Ronald T., Gaskill, D. Kurt, Eddy,, Charles R.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 153 KB

english, 2007

[IEEE 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - College Park, MD, USA (2007.12.12-2007.12.14)] 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - H2 etching and epitaxial growth on 4H-SiC boule domes

Myers-Ward, Rachael L., Kok-Keong Lew,, VanMil, Brenda L., Eddy,, Charles R., Gaskill, D. Kurt, Wood, Colin E.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.21 MB

english, 2007

Turning of Basal Plane Dislocations during Epitaxial Growth on 4° Off-Axis 4H-SiC

Myers-Ward, Rachael L., VanMil, Brenda L., Stahlbush, Robert E., Katz, S.L., McCrate, J.M., Kitt, S.A., Eddy Jr., Charles R., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.09 MB

english, 2009

Temperature Dependent Chemical Sensitivity of Epitaxial Graphene

Nagareddy, V. Kartheek, Gaskill, D. Kurt, Tedesco, J.L., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Goss, Jonathan P., Wright, Nicolas G., Horsfall, Alton B.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 320 KB

english, 2012

CL/EBIC-SEM Techniques for Evaluation of Impact of Crystallographic Defects on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epitaxial Layers

Maximenko, Serguei I., Freitas Jr., Jaime A., Picard, Yoosuf N., Klein, Paul B., Myers-Ward, Rachael L., Lew, Kok Keong, Muzykov, Peter G., Gaskill, D. Kurt, Eddy Jr., Charles R., Sudarshan, Tangali S

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.99 MB

english, 2010

Time-Resolved ODMR Measurements on the 'Yellow Luminescence' in MOCVD-Grown GaN Films

Koschnick, F.K., Spaeth, Johann Martin, Glaser, E.R., Doverspike, K., Rowland, L.B., Gaskill, D. Kurt, Wickenden, D.K.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

1995

Файл:

PDF, 413 KB

1995

Observations on C-Face SiC Graphene Growth in Argon

Gaskill, D. Kurt, Hite, Jennifer K., Culbertson, James C., Jernigan, Glenn G., Tedesco, Joseph L., Nyakiti, Luke O., Wheeler, Virginia D., Myers-Ward, Rachael L., Garces, N.Y., Eddy Jr., Charles R.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.31 MB

english, 2011

Proton Irradiation of 4H-SiC Ultraviolet Single Photon Avalanche Diodes

Gaskill, D. Kurt, Hu, Jun, Xin, X., Zhao, Jian H., VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rachael L., Eddy Jr., Charles R.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.34 MB

english, 2011

Influence of Intercalated Silicon on the Transport Properties of Graphene

Goss, Jonathan P., Briddon, Patrick R., Nagareddy, Venkata K., Wright, Nicolas G., Horsfall, Alton B., Caldwell, Joshua D., Gaskill, D. Kurt, Jernigan, Glenn G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.51 MB

english, 2011

Electrical Characterization of the Graphene-SiC Heterojunction

Anderson, Travis J., Hobart, Karl D., Nyakiti, Luke O., Wheeler, Virginia D., Myers-Ward, Rachael L., Caldwell, Joshua D., Bezares, Francisco J., Gaskill, D. Kurt, Eddy, Charles R., Kub, Francis J., J

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 349 KB

english, 2012

4H-SiC Single Photon Avalanche Diode for 280nm UV Applications

Hu, Jun, Xin, Xiao Bin, Alexandrov, Petre, Zhao, Jian H., VanMil, Brenda L., Gaskill, D. Kurt, Lew, Kok Keong, Myers Ward, Rachael L., Eddy Jr., Charles R.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 784 KB

english, 2009

High Temperature Stability of Oxygen Functionalized Epitaxial Graphene/Metal Contact Interfaces

Nagareddy, V. Karthik, Hernández, Sandra C., Wheeler, Virginia D., Nyakiti, Luke O., Myers-Ward, Rachael L., Eddy, Charles R., Goss, Jonathan P., Wright, Nicolas G., Walton, Scott G., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 342 KB

english, 2013

Evolution of Basal Plane Dislocations during 4H-SiC Epitaxial Growth

Stahlbush, Robert E., VanMil, Brenda L., Liu, Kendrick X., Lew, Kok Keong, Myers Ward, Rachael L., Gaskill, D. Kurt, Eddy Jr., Charles R., Zhang, X., Skowronski, Marek

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.60 MB

english, 2009

Microhardness of 6H- and 4H-SiC Substrates

Eddy Jr., Charles R., Wu, Ping, Zwieback, Ilya, VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rachael L., Tedesco, J.L., Souzis, Andrew E., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 320 KB

english, 2009

4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Graded Base Doping Profile

Zhang, Jian Hui, Fursin, Leonid, Li, Xue Qing, Wang, Xiao Hui, Zhao, Jian H., VanMil, Brenda L., Myers-Ward, Rachael L., Eddy Jr., Charles R., Gaskill, D. Kurt

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 677 KB

english, 2009